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存儲器（Memory）是現代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進(jìn)制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實(shí)物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類(lèi)方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)等，能長(cháng)期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來(lái)存放當前正在執行的數據和程序，但僅用于暫時(shí)存放程序和數據，關(guān)閉電源或斷電，數據會(huì )丟失。
電子回收市場(chǎng)數據是怎樣的呢？通過(guò)我們自身的行業(yè)經(jīng)驗、積累的數據來(lái)分析得出一個(gè)普遍的貶值率：電子呆料庫存1年內成本回收5-6成，2年到5年能回收1-3成 。歡迎有呆料、尾料的工廠(chǎng)聯(lián)系錢(qián)小姐.

深圳市益承電子科技有限公司
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IGBT模塊回收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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電腦芯片回收
電腦芯片其實(shí)是個(gè)電子零件 在一個(gè)電腦芯片中包含了千千萬(wàn)萬(wàn)的電阻 電容以及其他小的元件。電腦上有很多的芯片，內存條上一塊一塊的黑色長(cháng)條是芯片，主板、硬盤(pán)、顯卡等上都有很多的芯片，CPU也是塊電腦芯片，只不過(guò)他比普通的電腦芯片更加的復雜更加的精密 。芯片有南橋芯片，北橋芯片，芯片是主板的心臟，CPU是電腦的心臟。不過(guò)芯片分好多種，比如CPU也可說(shuō)為是芯片，還有顯卡芯片、聲卡芯片等等，他們大部分是計算作用。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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收購驅動(dòng)IC芯片需要考慮多方面因素，例如市場(chǎng)需求、供應商信譽(yù)、價(jià)格等。同時(shí)，還需要了解相關(guān)的技術(shù)和行業(yè)趨勢，以便做出明智的決策。
二極管回收
二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（Varicap Diode）則用來(lái)當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱(chēng)之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱(chēng)為順向偏壓），反向時(shí)阻斷 （稱(chēng)為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個(gè)PN結兩個(gè)引線(xiàn)端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來(lái)講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場(chǎng)。當外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱(chēng)為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)?，F今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。

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IC回收
IC芯片(Integrated Circuit集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。而今幾乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著(zhù)微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路為杰克·基爾比（基于鍺的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅的集成電路）。當今半導體工業(yè)大多數應用的是基于硅的集成電路。