目前，高通已經(jīng)正式宣布，2023驍龍峰會(huì )定檔10月24日至10月26日。

結合以往的情況來(lái)看，這次活動(dòng)中將會(huì )正式推出第三代驍龍8旗艦平臺，即此前被多次曝光的驍龍8 Gen3芯片。

而在今年的驍龍8 Gen3芯片發(fā)布前，網(wǎng)絡(luò )上也出現了關(guān)于更久之后的驍龍 8 Gen 4 的細節信息。

最新的消息中提到，高通正在進(jìn)行 3nm 芯片的推進(jìn)，并逐漸展開(kāi)產(chǎn)品的生產(chǎn)規劃。

而就目前爆料中的信息來(lái)看，高通很有可能會(huì )與臺積電、三星合作來(lái)生產(chǎn)全新的驍龍 8 Gen 4 芯片。

其中，標準版本的驍龍 8 Gen 4 將由臺積電負責生產(chǎn)；三星則將承擔高通驍龍 8 Gen 4 for Galaxy的生產(chǎn)，也就是驍龍 8 Gen 4“領(lǐng)先版”，其將采用三星的 3nm GAP 工藝。

與此同時(shí)，這兩款芯片產(chǎn)品有可能會(huì )同時(shí)到來(lái)，但“領(lǐng)先版”可能會(huì )延后開(kāi)放給其他廠(chǎng)商使用銷(xiāo)售。

以往的消息曾提到過(guò)，三星電子先進(jìn)制程良率較低，自5nm制程開(kāi)始一直存在良率問(wèn)題，在4nm和3nm工藝上情況變得更加糟糕。

據傳三星3nm自量產(chǎn)以來(lái)，良率不超過(guò)20%，量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。三星目前在4nm和5nm藝節點(diǎn)上出現了與產(chǎn)量有關(guān)的問(wèn)題，其不希望這個(gè)問(wèn)題再次出現在3nm工藝上。

相關(guān)消息顯示，三星3nm工藝的改進(jìn)目前仍在進(jìn)行中，4nm的工藝提升已初見(jiàn)成效。

據鳳凰網(wǎng)科技報道稱(chēng)，三星4nm芯片制程良率已改善、接近5nm的水準，下一代4nm制程將提供更高的良率。

不過(guò)，就最新爆料中顯示的信息來(lái)看，三星可能還需要兩年左右的時(shí)間才能夠再次進(jìn)行基于3nm工藝的旗艦平臺的產(chǎn)品生產(chǎn)。但隨著(zhù)時(shí)間的推進(jìn)，整體的情況發(fā)展也存在著(zhù)變化的可能。

而在高通的3nm芯片到來(lái)前，全新的驍龍 8 Gen 3 旗艦平臺將會(huì )首先到來(lái)。

此前，一份爆料顯示，全新的驍龍8 Gen3單核跑分成績(jì)2233，多核跑分成績(jì) 6661。

對比來(lái)看，搭載了3.36GHz驍龍8 Gen2的三星Galaxy S23 Plus單核成績(jì)2005，多核成績(jì)5274；搭載了天璣9200+的設備單核成績(jì)2117，多核成績(jì)5583。

就此來(lái)看，新一代的驍龍8 Gen3在性能表現方面將持續帶來(lái)升級。

據悉，驍龍8 Gen3將基于臺積電N4P工藝打造，擁有 1 顆3.3GHz頻率的Cortex X4 超大核、3顆3.15GHz的 A720 大核、2顆2.96GHz 的A720 大核，以及2顆2.27GHz的 A530 小核，配備 Adreno 750 GPU。

與之對比，第二代驍龍8基于 4 納米工藝制造，采用1+2+2+3 架構，擁有1個(gè)主頻3.2GHz的超大核、4個(gè)主頻2.8GHz的性能核、3個(gè)頻率2.0GHz的能效核。

而更早之前的消息則顯示，全新驍龍8 Gen3芯片普通版的頻率將在3.18/3.2GHz左右，安兔兔跑分達到160萬(wàn)，GFX ES3.1 280FPS±。

與之對比，驍龍 8 Gen 2 的安兔兔跑分在 133萬(wàn)左右，GFX ES3.1 220FPS±。

至于可能會(huì )搭載這顆芯片的手機產(chǎn)品，目前已經(jīng)曝光了多款。而結合以往的消息來(lái)看，小米新一代的數字旗艦首發(fā)搭載的可能性要更大一些。

與此同時(shí)，摩托羅拉、OPPO、vivo、iQOO、一加、魅族、中興、努比亞等品牌都有望推出搭載了驍龍 8 Gen 3芯片的手機產(chǎn)品。