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2%,其他產(chǎn)品市場(chǎng)增速將放緩。驅動(dòng)半導體市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展的主要因素包括器件創(chuàng )新、技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)品創(chuàng )新。器件創(chuàng )新?;诮胶鈶B(tài)物理的半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成熟,半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)逼近極限。盡管目前依賴(lài)于特征尺寸不斷縮小的硅基CMOS技術(shù)發(fā)展遇到越來(lái)越多的挑戰,但不依賴(lài)于特征尺寸的器件創(chuàng )新此起彼伏。
可以利用萬(wàn)用表能檢測快恢復、超快恢復二極管的單向導電性, 以阻值較小的一次測量為準,黑表筆所接的一端為正極,紅表筆所接的一端則為負極。為了使這些二極管具有特別強的尖銳振幅的作用,通常使用硅材料制造的二極管。而消振電路復雜同時(shí)會(huì )成本的加?!?、高反向電阻點(diǎn)型二極管 正向電壓特性和一般用二極管相同。
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