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電子呆料、電子元器件在當今5G高速網(wǎng)絡(luò )時(shí)代會(huì )有一大批被淘汰，為什么呢？從5G網(wǎng)絡(luò )自身的運算速度來(lái)說(shuō)，是上個(gè)時(shí)代主流網(wǎng)絡(luò )4G的上百倍，在如此快速的轉換、運行的環(huán)境下，勢必要求各個(gè)元器件達到更高的標準，像運算速度慢、能耗高、延時(shí)高等的一些問(wèn)題使老一代的電子元器件無(wú)法勝任5G時(shí)代的要求。

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繼電器回收
繼電器（英文名稱(chēng)：relay）是一種電控制器件，是當輸入量（激勵量）的變化達到規定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統（又稱(chēng)輸入回路）和被控制系統（又稱(chēng)輸出回路）之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著(zhù)自動(dòng)調節、安全保護、轉換電路等作用。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。