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一定工作壓力下,制備的氮化鉭薄膜硬度高達4000kg/mm2以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因,并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構變化的原因
研究表明,影響氮化鉭薄膜結合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度,氮分壓比、濺射電流為次要因素;氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜,利用TEM、XRD技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?;同時(shí)還發(fā)現,在一定工作壓力下,隨著(zhù)氮分壓的提高,氮化物晶粒形成的取向改變,即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。
氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的,若無(wú)許可,勿將材料排入周?chē)h(huán)境。
2、常溫常壓下穩定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥處
氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得;
2、以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭,反應式如下:2Ta+N2=2TaN。
氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結構,晶格常數α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃,電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa,超導轉變溫度1.2K。耐酸性能好,不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸,易被硫酸和硝酸和過(guò)氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類(lèi)質(zhì)同晶混合物,和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應或700~1000℃下使鉭粉和氮氣反應生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。
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