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氮化鉭為黃綠色結晶，屬型結晶，相對密度為15.6。晶格常數為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉化點(diǎn)溫度為17.8K。
利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現，在一定工作壓力下，隨著(zhù)氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
生產(chǎn)晶書(shū)鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用,化工中可作催化劑。
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