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研究表明，影響氮化鉭薄膜結合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結構，晶格常數α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導轉變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過(guò)氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類(lèi)質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應或700～1000℃下使鉭粉和氮氣反應生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。
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