金鹽回收中的壓擠壓技術(shù)
高壓處理電子廢料實(shí)現金屬解離：

設備參數
壓力：5-8 GPa（相當于地核壓力）

沖頭速度：1-2 mm/s

模具材料：硬質(zhì)合金（HV>2000）

解離效果
物料 解離度 金裸露率
手機主板 95% 90%
CPU芯片 85% 75%
后續處理：

氣流分選（密度差異）

靜電分離（導電性差異）

優(yōu)勢：

無(wú)化學(xué)試劑添加

處理速度200 kg/h

金鹽回收中的選擇性氯化技術(shù)
選擇性氯化法適用于處理含金電子廢料（如PCB），其核心是通過(guò)控制氯氣濃度和溫度實(shí)現金的揮發(fā)：

反應機理
氯化揮發(fā)：2Au + 3Cl? → 2AuCl?（g）（沸點(diǎn)254°C）

雜質(zhì)抑制：Cu、Fe等生成固態(tài)氯化物殘留

工藝參數優(yōu)化
參數 佳范圍 作用機制
溫度 450-500°C 平衡揮發(fā)速率與能耗
Cl?濃度 30-50 vol% 避免過(guò)量腐蝕設備
載氣流速 0.8-1.2 L/min 確保氣態(tài)AuCl?充分帶出
工業(yè)案例：

日本DOWA的流化床氯化系統：處理含金0.2%的電子廢料，回收率>99%

兩級冷凝設計：200°C（收集AuCl?），二級50°C（捕集Hg/Pb氯化物）

挑戰：

設備需采用哈氏合金C276（耐氯腐蝕）

尾氣需堿洗+活性炭吸附處理

金鹽回收中的氧化技術(shù)
處理含氰廢水的深度氧化方案：

1. 臭氧催化氧化
催化劑：MnO?/Al?O?（比表面積180 m2/g）

動(dòng)力學(xué)：

CN? + O? → CNO? + O?（k=3.2×103 M?1s?1）

終產(chǎn)物為CO?和N?（無(wú)二次污染）

2. 電化學(xué)氧化
陽(yáng)極材料：BDD（摻硼金剛石）

操作條件：

電流密度100 A/m2

極板間距10 mm

處理效果：

CN?<0.1 mg/L（達標排放）

能耗8 kWh/kg CN?

經(jīng)濟性對比
技術(shù) 投資成本($/t) 運行成本($/m3)
堿性氯化法 50,000 1.2
臭氧氧化 120,000 0.8
電化學(xué)氧化 80,000 0.6

金鹽回收廢料的來(lái)源與特征
金鹽回收原料主要來(lái)自五大渠道：
（1）電鍍廢液：含金1-15g/L，同時(shí)含Ni2?、Cu2?等雜質(zhì)，pH值8-12。典型組成為：

Au：3.2g/L

KCN：85g/L

有機添加劑：5-10g/L

（2）電子蝕刻廢液：微酸性（pH2-4），含Au3? 0.5-3g/L，Fe3? 20-50g/L。SEM-EDS分析顯示存在A(yíng)uCl??絡(luò )合物特征峰。

（3）廢棄催化劑：汽車(chē)三元催化劑中金負載量0.1-0.5wt%，與Pt、Pd形成合金相。BET比表面積120-180m2/g。

（4）珠寶加工廢料：含金鹽拋光液的金濃度0.05-0.3%，含SiO?磨料30-50%。

（5）醫療廢棄物：如廢棄的金鹽類(lèi)藥物，Au含量0.5-2mg/支。

金鹽回收電解回收技術(shù)
電解法直接處理含金電解液，關(guān)鍵技術(shù)參數：

電解槽設計

陰極：鈦網(wǎng)（表面積2-5m2/m3）

陽(yáng)極：DSA涂層鈦電極（IrO?-Ta?O?）

極距：50-100mm

工藝控制

電流密度：100-300A/m2

槽電壓：2.5-4.5V

溫度：50-70℃

流速：0.3-0.8m/s

產(chǎn)品特征

陰極金純度：99.95-99.99%

電流效率：85-92%

能耗：0.8-1.2kWh/g Au

創(chuàng )新應用：

脈沖電解：占空比1:5，晶粒尺寸減小40%

流化床電解：處理濃度低至10mg/L

金鹽回收經(jīng)濟分析與市場(chǎng)前景
全球金鹽回收產(chǎn)業(yè)數據：

市場(chǎng)規模

年回收量：380-420噸（占礦產(chǎn)金28%）

價(jià)值鏈分布：

收集環(huán)節：15-20%利潤

精煉環(huán)節：30-35%利潤

深加工：45-50%利潤

技術(shù)經(jīng)濟指標

參數 火法 濕法 生物法
投資($/t) 1.8M 2.5M 1.2M
成本($/oz) 650 850 700
ROI(%) 22 18 25
發(fā)展趨勢：

無(wú)氰化技術(shù)年增長(cháng)率12%

納米金鹽回收需求上升

自動(dòng)化分選設備普及率2025年將達60%