金粉回收電子廢棄物中金的分布規律
不同電子元件含金特性差異顯著(zhù)：
1）封裝部件：

CPU引腳鍍金層厚度0.3-1μm（每片含金50-100mg）；

BGA焊球含Au-Sn合金（金占比5-10%）。

2）連接器件：

內存條金手指（每GB約含15mg金）；

USB接口鍍金層（0.05-0.2μm）。

3）被動(dòng)元件：

高頻電容端電極含金漿料；

繼電器觸點(diǎn)鍍金（3-5μm厚）。

4）PCB基板：

化學(xué)沉金（ENIG）工藝層厚0.03-0.1μm；

金主要分布在過(guò)孔和焊盤(pán)處（占比<5%總金量）。

建立"元件-含金量"數據庫可提升拆解針對性，手機主板含金量是普通家電的10-20倍。

金粉回收的濕法工藝
濕法技術(shù)適用于低品位復雜原料，主要流程為：
1）浸出：

氰化法（0.1-0.3% NaCN溶液，pH10-11，需充氧）；

非氰替代方案（硫脲、硫代硫酸鹽或鹵素體系）。

2）富集：

活性炭吸附（載金量5-15kg/t炭）；

溶劑萃?。ㄈ缂谆惗』x擇性萃金）。

3）還原：

鋅粉置換（傳統方法，但引入鋅污染）；

草酸/亞硫酸鈉還原（純度更高）。

4）精煉：

電解法（采用粗金陽(yáng)極，鈦陰極，鹽酸體系）；

化學(xué)沉淀（二氧化硫還原氯金酸）。

濕法優(yōu)勢在于可處理0.1g/t的低品位料，但廢水處理成本占總費用的30-40%。

金粉回收，極地建筑用金粉-TiO?輻射制冷涂層的熱管理性能
中國南極泰山站應用的"GoldCool"涂層采用的雙層結構：①底層為15μm金粉（占固含量20%）與TiO?（粒徑200nm）復合，太陽(yáng)反射率（250-2500nm）達94.7%；②表層為VO?溫敏相變層（厚度500nm），在68℃發(fā)生絕緣體-金屬相變，紅外發(fā)射率從0.58躍升至0.91。實(shí)測數據表明：在-65℃極晝環(huán)境下，涂層表面溫度比環(huán)境低18.3℃（熱流密度達126W/m2）。關(guān)鍵技術(shù)突破是采用磁控濺射制備非化學(xué)計量比TiO???（x=0.15），在8-13μm大氣窗口波段發(fā)射率提升至0.96。加速老化測試顯示：經(jīng)相當于南極20年的紫外線(xiàn)輻射（600kWh/m2）后，太陽(yáng)反射率僅下降2.3%。環(huán)境評估確認：金粉滲出率＜0.01μg/cm2/year，遠低于南極條約規定的0.1μg/cm2/year限值。挪威極地研究所建議：?jiǎn)螚澖ㄖ鸱凼褂昧繎刂圃?00g以?xún)?，避免對冰雪反照率產(chǎn)生區域性影響。