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1950年，具有使用價(jià)值的早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應晶體管的構想。隨著(zhù)無(wú)缺陷結晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(cháng)技術(shù)和擴散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規模、超大規模集成電路時(shí)代。
（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，
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