氧化鈀回收納米氧化鈀的制備與特性
納米氧化鈀（粒徑<100 nm）的制備方法包括：

化學(xué)還原法：用NaBH?還原PdCl?后氧化，獲得20-50 nm顆粒

微乳液法：CTAB/正己醇/水體系控制形貌，可得立方體納米晶

等離子體法：Ar/O?等離子體處理金屬鈀靶，制備超細粉末

納米效應導致：

比表面積增至80-120 m2/g

表面氧空位濃度提高至1.2×101? cm?2

CO氧化活性提升10倍（因更多{100}高活性晶面暴露）

但納米顆粒易團聚，需采用PVP或檸檬酸鈉進(jìn)行表面修飾。

氧化鈀回收納米顆粒的回收與功能化應用
從廢料中回收的PdO納米顆粒（NPs）可通過(guò)表面修飾賦予新功能：

抗菌材料：將5–10 nm PdO NPs負載到碳纖維上，對大腸桿菌的殺滅率>99.9%（光照協(xié)同下）；

柔性傳感器：用聚苯胺包覆再生PdO NPs制成薄膜，對H?的檢測限達0.1 ppm；

光熱療法：生物相容性SiO?@PdO核殼結構可實(shí)現近紅外區腫瘤消融。

回收難點(diǎn)突破：

韓國KAIST團隊開(kāi)發(fā)了“激光破碎-電泳分離”技術(shù)，從廢舊催化劑中直接獲取單分散PdO NPs（粒徑偏差<5%）；

中科院過(guò)程所利用微流控系統實(shí)現PdO NPs的在線(xiàn)表面氨基化，回收-功能化一步完成。

氧化鈀回收薄膜的制備與器件應用
制備技術(shù)：

磁控濺射：基板溫度300°C，O?/Ar=1:5，膜厚50-200 nm

ALD：Pd(acac)?+O?前驅體，生長(cháng)速率0.1 nm/cycle

器件應用：

電阻式氣體傳感器：

對H?靈敏度（S=R?/Rg）=50（100 ppm）

響應時(shí)間<5 s

憶阻器：

高低阻態(tài)比>103

耐久性10?次

透明導電膜：

可見(jiàn)光透過(guò)率>70%（100 nm厚）

方塊電阻80 Ω/□