磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

各種類(lèi)型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，地滿(mǎn)足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過(guò)程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線(xiàn)：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求，需求數量也逐年增加。
市場(chǎng)概況
日本。就美國而言．約有50家中小規模的靶材制造商及經(jīng)銷(xiāo)商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì )在客戶(hù)所在地設立分公司。近段時(shí)間，的一些國家和地區，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來(lái)越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠(chǎng)，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠(chǎng)。
對靶材廠(chǎng)商而言，這是相當重要的新興市場(chǎng)。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規模和生產(chǎn)技術(shù)，國內一線(xiàn)生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達到國外的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿(mǎn)足臺灣50%的靶材需要。

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板