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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級電容器,是從上個(gè)世紀七八十年代發(fā)展起來(lái)的一種化學(xué)元件。超級電容器通過(guò)極化電解質(zhì)來(lái)儲能,但不發(fā)生化學(xué)反應,而且儲能過(guò)程是可逆的,也正因為此超級電容器可以反復充放電數十萬(wàn)次。法拉電容金額普通電容的區別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬(wàn)~4萬(wàn)微法,超級電容器大容量可達數千法拉,1法拉=100萬(wàn)微法,所以超級電容又叫做法拉電容。
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電腦芯片回收
電腦芯片其實(shí)是個(gè)電子零件 在一個(gè)電腦芯片中包含了千千萬(wàn)萬(wàn)的電阻 電容以及其他小的元件。電腦上有很多的芯片,內存條上一塊一塊的黑色長(cháng)條是芯片,主板、硬盤(pán)、顯卡等上都有很多的芯片,CPU也是塊電腦芯片,只不過(guò)他比普通的電腦芯片更加的復雜更加的精密 。芯片有南橋芯片,北橋芯片,芯片是主板的心臟,CPU是電腦的心臟。不過(guò)芯片分好多種,比如CPU也可說(shuō)為是芯片,還有顯卡芯片、聲卡芯片等等,他們大部分是計算作用。
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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個(gè)兩個(gè)區是一樣的,即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。
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