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通信IC回收
據世界半導體貿易統計協(xié)會(huì )(WSTS)日前發(fā)布的一份預測報告顯示，世界半導體市場(chǎng)未來(lái)三年將保持兩位數的增長(cháng)，這份報告還表明，全球半導體業(yè)之所以能夠復蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒(méi)，近年來(lái)通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長(cháng)，給全球半導體業(yè)注入了新的活力。在近兩年里，三網(wǎng)融合的大趨勢有力地推動(dòng)了芯片業(yè)的發(fā)展，通信芯片在移動(dòng)通信、無(wú)線(xiàn)Internet和無(wú)線(xiàn)數據傳輸業(yè)的發(fā)展，開(kāi)始超過(guò)了PC機芯片的發(fā)展。IDC的預測，通信IC芯片，尤其是支持第三代移動(dòng)通信系統的IC芯片，將成為21世紀初全球半導體芯片業(yè)大的應用市場(chǎng)。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統中，可作為大功率驅動(dòng)器件，實(shí)現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動(dòng)系統中得到了廣泛的應用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)?wèn)題，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。