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存儲器（Memory）是現代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進(jìn)制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實(shí)物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類(lèi)方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)等，能長(cháng)期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來(lái)存放當前正在執行的數據和程序，但僅用于暫時(shí)存放程序和數據，關(guān)閉電源或斷電，數據會(huì )丟失。
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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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芯片在使用過(guò)程中，電子在不停撞擊著(zhù)金屬銅，把它推向一側，另導線(xiàn)斷裂。熱載流子會(huì )撞擊柵極氧化層，令其損壞，導致器件失效，即所謂的HCI。在高溫下，介電層會(huì )慢慢的失效，導致本來(lái)隔離的兩個(gè)部分之間發(fā)生短路，所謂的TDDB。也就是說(shuō)芯片也是有壽命的，芯片就是會(huì )壞的。
三極管回收
三極管，全稱(chēng)應為半導體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結，兩個(gè)PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發(fā)射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。