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場(chǎng)效應分類(lèi)：場(chǎng)效應管主要有結型場(chǎng)效應管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應管（IGFET）。絕緣柵型場(chǎng)效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個(gè)極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個(gè)極分別為基極、集電極、發(fā)射極。場(chǎng)效應管的S極與晶體管的e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結型場(chǎng)效應管的區別在于它們的導電機構和電流控制原理根本不同，結型管是利用耗盡區的寬度變化來(lái)改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場(chǎng)效應管則是用半導體表面的電場(chǎng)效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來(lái)控制電流。