金鹽回收中的壓擠壓技術(shù)
高壓處理電子廢料實(shí)現金屬解離：

設備參數
壓力：5-8 GPa（相當于地核壓力）

沖頭速度：1-2 mm/s

模具材料：硬質(zhì)合金（HV>2000）

解離效果
物料 解離度 金裸露率
手機主板 95% 90%
CPU芯片 85% 75%
后續處理：

氣流分選（密度差異）

靜電分離（導電性差異）

優(yōu)勢：

無(wú)化學(xué)試劑添加

處理速度200 kg/h

金鹽回收中的選擇性化學(xué)鍍技術(shù)
化學(xué)鍍技術(shù)可在非導電基材上選擇性沉積金層，適用于電子廢料中微米級金線(xiàn)路的回收：

鍍液配方優(yōu)化
組分 濃度范圍 功能作用
氯金酸（HAuCl?） 1-3 g/L 金離子來(lái)源
還原劑（DMAB） 2-5 g/L 電子供體（E°=-1.18 V）
絡(luò )合劑（EDTA） 10-15 g/L 穩定Au3?，抑制自發(fā)分解
pH調節劑 維持7.5-8.5 硼酸鈉緩沖體系
工藝特性
沉積速率：0.5-2 μm/h（40-60°C）

選擇性：通過(guò)光刻膠圖形化實(shí)現局部沉積（精度±5 μm）

鍍層性能：

電阻率2.3 μΩ·cm（接近體材料）

結合力>30 MPa（劃痕測試）

應用案例：

日本日礦金屬處理廢棄FPC板，金回收率>98%

缺陷控制：鍍液壽命約8-10個(gè)金屬周轉（需定期過(guò)濾再生）

金鹽回收生物冶金回收技術(shù)
生物技術(shù)應用進(jìn)展：

菌種選擇

嗜金屬硫桿菌：氧化Fe2?產(chǎn)生Fe3?氧化劑

芽孢桿菌：分泌氰化物（0.1-0.3mM）

工藝參數

pH范圍：1.5-2.5（酸性）或9-10（堿性）

溫度：30-45℃

反應時(shí)間：5-15天

技術(shù)指標

浸出率：65-85%

能耗：僅為化學(xué)法的20%

投資成本：$1.2-1.8M/100tpd

局限性：

菌種耐受性：Au濃度>50mg/L時(shí)活性抑制

反應速率：比化學(xué)法慢10-20倍

金鹽回收電解回收的動(dòng)力學(xué)研究
金鹽回收電解過(guò)程受傳質(zhì)與電荷轉移雙重控制，其動(dòng)力學(xué)特性表現為：

陰極反應機理：

主反應：Au(CN)?? + e? → Au + 2CN?（標準電位-0.6V vs SHE）

競爭反應：2H? + 2e? → H?↑（需維持pH>10抑制析氫）

關(guān)鍵動(dòng)力學(xué)參數：

參數 典型值 影響規律
交換電流密度j? 1.2×10?3 A/cm2 隨溫度升高呈指數增長(cháng)
傳遞系數α 0.52 與電極表面粗糙度正相關(guān)
擴散層厚度δ 50-100μm 與流速的-0.5次方成正比
強化措施：

脈沖電解：采用占空比1:4的方波（f=50Hz），使晶粒尺寸從20μm降至5μm

流體擾動(dòng)：在電解槽中設置靜態(tài)混合器，極限電流密度提升至350A/m2

添加劑調控：添加1ppm的Pb2?可使沉積過(guò)電位降低120mV



金鹽回收純化與回收技術(shù)
高鹽制備工藝：

化學(xué)精制

王水溶解：HCl:HNO?=3:1，溫度70-80℃

還原劑選擇：

SO?：純度99.99%，但需尾氣處理

抗壞血酸：環(huán)保型，成本較高

電解精煉

電解液組成：HAuCl? 80-120g/L，HCl 80-150g/L

添加劑：明膠0.1-0.3g/L改善結晶

區域熔煉

溫度梯度：150℃/cm

通過(guò)次數：10-15次

終純度：99.999-99.9999%

質(zhì)量控制點(diǎn)：

痕量元素：ICP-MS檢測（ppt級）

晶體形貌：SEM觀(guān)察（避免枝晶）

金鹽回收，火法冶金回收工藝
火法處理適用于高含量（>1%）金鹽廢料，主要流程包括：

預處理階段

烘干脫水：120℃下將含水率從80%降至<5%

配料熔劑：按金鹽：硼砂：碳酸鈉=1:0.3:0.2比例混合

熔煉階段

電弧爐熔煉：溫度1350-1500℃，時(shí)間2-3h

貴鉛形成：Au與Pb形成合金（密度11.3g/cm3），與渣相分離

灰吹氧化：900℃下鼓風(fēng)氧化除鉛，獲得粗金錠

精煉階段

電解回收：采用AuCl?-HCl電解液，電流密度200A/m2

純度提升：從99.5%提純至99.99%

典型技術(shù)指標：

回收率：98.2-99.5%

能耗：850-1200kWh/kg Au

渣含金：<0.01%