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研究表明,影響氮化鉭薄膜結合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度,氮分壓比、濺射電流為次要因素;氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
氮化鉭為黑色六方結晶。相對密度為13.4,熔點(diǎn)為3090℃,顯微硬度為1100kg/mm2,熱導率為9.54W/(m·K),電阻率為128μΩ·cm
氮化鉭為黃綠色結晶,屬型結晶,相對密度為15.6。晶格常數為a=0.4336nm,c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃,顯微硬度為3200kg/mm2,轉化點(diǎn)溫度為17.8K。
利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜,利用TEM、XRD技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?;同時(shí)還發(fā)現,在一定工作壓力下,隨著(zhù)氮分壓的提高,氮化物晶粒形成的取向改變,即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。
氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為T(mén)aN,分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻
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