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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級電容器，是從上個(gè)世紀七八十年代發(fā)展起來(lái)的一種化學(xué)元件。超級電容器通過(guò)極化電解質(zhì)來(lái)儲能，但不發(fā)生化學(xué)反應，而且儲能過(guò)程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數十萬(wàn)次。法拉電容金額普通電容的區別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬(wàn)~4萬(wàn)微法，超級電容器大容量可達數千法拉，1法拉=100萬(wàn)微法，所以超級電容又叫做法拉電容。

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繼電器回收
繼電器（英文名稱(chēng)：relay）是一種電控制器件，是當輸入量（激勵量）的變化達到規定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統（又稱(chēng)輸入回路）和被控制系統（又稱(chēng)輸出回路）之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著(zhù)自動(dòng)調節、安全保護、轉換電路等作用。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統中，可作為大功率驅動(dòng)器件，實(shí)現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動(dòng)系統中得到了廣泛的應用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)?wèn)題，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。

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IGBT模塊回收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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電腦芯片回收
電腦芯片其實(shí)是個(gè)電子零件 在一個(gè)電腦芯片中包含了千千萬(wàn)萬(wàn)的電阻 電容以及其他小的元件。電腦上有很多的芯片，內存條上一塊一塊的黑色長(cháng)條是芯片，主板、硬盤(pán)、顯卡等上都有很多的芯片，CPU也是塊電腦芯片，只不過(guò)他比普通的電腦芯片更加的復雜更加的精密 。芯片有南橋芯片，北橋芯片，芯片是主板的心臟，CPU是電腦的心臟。不過(guò)芯片分好多種，比如CPU也可說(shuō)為是芯片，還有顯卡芯片、聲卡芯片等等，他們大部分是計算作用。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。