深圳市華宇金屬材料有限公司位于深圳市的中部工業(yè)發(fā)達區龍華。公司產(chǎn)品延續深圳市新興金屬科技有限公司，創(chuàng )建于2005年，向PCB電鍍、化工廠(chǎng)家、化工設備，真空離子鍍膜、吸氣劑、鉻鋯銅合金、磁性材料，鋁鋯中間合金，等離子切割等領(lǐng)域的廠(chǎng)家供應有色金屬的鈦，鋯，鉿，鈮，鉭等的原材料及產(chǎn)品：
1）金屬鈦、結晶鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦卷帶、鈦箔、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）金屬鋯、高純鋯、海綿鋯，碘化鋯、結晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應釜罐，鋯盤(pán)管，鋯冷卻管，鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅，鋯鐵，鋁鋯中間合金等。
3）結晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
公司和內地、臺灣、韓國、泰國的許多企業(yè)建立了長(cháng)期的合作關(guān)系。公司秉誠以誠信為本、質(zhì)量、用戶(hù)至上的經(jīng)營(yíng)理念，堅持“誠實(shí)守信，精益求精”的精神宗旨，竭誠為廣大廠(chǎng)商提供的產(chǎn)品和服務(wù)，確保公司與客戶(hù)的持續發(fā)展。

各種類(lèi)型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，地滿(mǎn)足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過(guò)程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線(xiàn)：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求，需求數量也逐年增加。
市場(chǎng)概況
日本。就美國而言．約有50家中小規模的靶材制造商及經(jīng)銷(xiāo)商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì )在客戶(hù)所在地設立分公司。近段時(shí)間，的一些國家和地區，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來(lái)越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠(chǎng)，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠(chǎng)。
對靶材廠(chǎng)商而言，這是相當重要的新興市場(chǎng)。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規模和生產(chǎn)技術(shù)，國內一線(xiàn)生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達到國外的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿(mǎn)足臺灣50%的靶材需要。

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

鋯換熱器產(chǎn)品介紹:
現在的搪瓷釜由于介質(zhì)的腐蝕性、反應條件忽冷忽熱等問(wèn)題，總會(huì )出現這樣那樣的搪瓷層損壞。一旦出現爆瓷現象,搪瓷面的損壞會(huì )迅速擴大，繁瑣的修補,停產(chǎn),安全事故及環(huán)境污染等不可預計的損失一直困擾著(zhù)國內眾多化工企業(yè).
取代搪瓷釜的金屬鋯盤(pán)管換熱器,解決化工行業(yè)所使用的搪瓷釜爆瓷,搪瓷面的損壞，不易修復(或者修復成本高)而報廢的成本問(wèn)題.由于金屬鋯材優(yōu)良的導熱性和強耐腐蝕性,在加熱,冷卻兩道工序上有效的縮短了生產(chǎn)時(shí)間,并且它特有的強耐腐蝕性這一特點(diǎn),從而了生產(chǎn)中不被各種工況的腐蝕性所腐蝕的要求,在生產(chǎn)旺季為生產(chǎn)出貨,創(chuàng )造了寶貴的時(shí)間,并且提高了產(chǎn)量,真正實(shí)現換熱設備零維護.
本產(chǎn)品已經(jīng)在國內,外大型農藥化工,醫藥化工,石化等行業(yè)投入使用,反應良好,歡迎有此需求,有此困擾的客戶(hù)來(lái)電咨詢(xún),洽談,我公司將在時(shí)間回復,配合.給予設備,技術(shù)上的支持.

磁控濺射靶材：鋯靶，鉿靶
磁控濺射靶材種類(lèi)：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），化鉛靶材（PbAs），化銦靶材（InAs）。 [2]


磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。

鋯管-鋯板-鋯帶-鋯棒-鋯絲
牌號：Zr－0、Zr－2、R60702，R60705、Zr－4；
規格： 0.03～50×200～600×Lmm 0.5～100×Lmm；
種類(lèi)：軋制、鍛制、拉制；標準：Q／BS6531－91、GB8769－88、Q／BS6331－91、Q／BS6431－91。