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電子呆料、電子元器件在當今5G高速網(wǎng)絡(luò )時(shí)代會(huì )有一大批被淘汰,為什么呢?從5G網(wǎng)絡(luò )自身的運算速度來(lái)說(shuō),是上個(gè)時(shí)代主流網(wǎng)絡(luò )4G的上百倍,在如此快速的轉換、運行的環(huán)境下,勢必要求各個(gè)元器件達到更高的標準,像運算速度慢、能耗高、延時(shí)高等的一些問(wèn)題使老一代的電子元器件無(wú)法勝任5G時(shí)代的要求。
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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統中,可作為大功率驅動(dòng)器件,實(shí)現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動(dòng)系統中得到了廣泛的應用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)?wèn)題,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。
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芯片在使用過(guò)程中,電子在不停撞擊著(zhù)金屬銅,把它推向一側,另導線(xiàn)斷裂。熱載流子會(huì )撞擊柵極氧化層,令其損壞,導致器件失效,即所謂的HCI。在高溫下,介電層會(huì )慢慢的失效,導致本來(lái)隔離的兩個(gè)部分之間發(fā)生短路,所謂的TDDB。也就是說(shuō)芯片也是有壽命的,芯片就是會(huì )壞的。
三極管回收
三極管,全稱(chēng)應為半導體三極管,也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
三極管是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結,兩個(gè)PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發(fā)射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。
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