回收MOLEX/莫仕、回收HIROSE/廣瀨、JAE/日本航空電子、KYOCERA/京瓷、PANASONIC/松下、JST/日壓

　　經(jīng)營(yíng)品類(lèi)： 回收手機連接器、回收板對板連接器、回收端子、接插件、FPC連接器、回收汽車(chē)連接器、連接器

　　藍盤(pán) 臺式硬盤(pán)系列——WD60EZRZ(某東售價(jià)：2589￥)——回收價(jià)格：1000-2000￥

　　藍盤(pán) 移動(dòng)硬盤(pán)系列——1TB 5400轉 128MB SATA3 藍盤(pán)(WD10SPZX)(某東售價(jià)：289￥)——回收價(jià)格：100-200￥

　　紫盤(pán)——紫盤(pán)4TB 64MB SATA3(WD40PURX)(某東售價(jià)：665￥)——回收價(jià)格：300-500￥

　　黑盤(pán) 臺式硬盤(pán)系列——1TB 7200轉 64MB SATA3 黑盤(pán)(WD1003FZEX)(某東售價(jià)：649￥)——回收價(jià)格：250-500￥

　　黑盤(pán) 移動(dòng)硬盤(pán)系列——1TB 7200轉 32MB SATA3 黑盤(pán)(WD10JPLX)(某東售價(jià)：449￥)——回收價(jià)格：200-300￥

　　綠盤(pán)系列——2TB 5400轉 64MB SATA3 綠盤(pán)(WD20EZRX)(某東售價(jià)：349￥)——回收價(jià)格：100-200￥

　　紅盤(pán)系列——4TB 5400轉 64MB SATA3(WD40EFRX)(某東售價(jià)：899￥)——回收價(jià)格：400-700￥

　　5400轉 SATA筆記本硬盤(pán)系列——500GB 5400轉 8MB SATA2(WD5000LPVT)筆記本(某東售價(jià)：339￥)——回收價(jià)格：100-200￥

　　10000轉 SATA臺式機硬盤(pán)系列——猛禽 600GB 10000轉 32MB SATA2(WD6000HLHX)(停產(chǎn))——回收價(jià)格：看型號。

回收TE/泰科、MOLEX/莫仕、DELPHI/德?tīng)柛?、JST/日壓、JAE/日本航空電子、KET/韓國端子連接器。
經(jīng)營(yíng)品類(lèi)： 端子、接插件
接插件的基本性能可分為三大類(lèi)：即機械性能、電氣性能和環(huán)境性能。 另一個(gè)重要的機械性能是接插件的機械壽命。機械壽命實(shí)際上是一種耐久性（durability）指標，在國標GB5095中把它叫作機械操作。它是以一次插入和一次拔出為一個(gè)循環(huán)，以在規定的插拔循環(huán)后接插件能否正常完成其連接功能（如接觸電阻值）作為評判依據。
1．機械性能就連接功能而言，插拔力是重要地機械性能。插拔力分為插入力和拔出力（拔出力亦稱(chēng)分離力），兩者的要求是不同的。在有關(guān)標準中有大插入力和小分離力規定，這表明，從使用角度來(lái)看，插入力要?。◤亩械筒迦肓IF和無(wú)插入力ZIF的結構），而分離力若太小，則會(huì )影響接觸的可靠性。 接插件的插拔力和機械壽命與接觸件結構（正壓力大?。┙佑|部位鍍層質(zhì)量（滑動(dòng)摩擦系數）以及接觸件排列尺寸精度（對準度）有關(guān)。
2．電氣性能接插件的主要電氣性能包括接觸電阻、絕緣電阻和抗電強度。
①接觸電阻的電連接器應當具有低而穩定的接觸電阻。接插件的接觸電阻從幾毫歐到數十毫歐不等。
②絕緣電阻衡量電接插件接觸件之間和接觸件與外殼之間絕緣性能的指標，其數量級為數百兆歐至數千兆歐不等。
③抗電強度或稱(chēng)耐電壓、介質(zhì)耐壓，是表征連接器接觸件之間或接觸件與外殼之間耐受額定試驗電壓的能力。

回收ic芯片，連接器，收購連接器。集成電路英語(yǔ)：integrated circuit，縮寫(xiě)作 IC；或稱(chēng)微電路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片/芯片（chip）在電子學(xué)中是一種將電路（主要包括半導體設備，也包括被動(dòng)組件等）小型化的方式，并時(shí)常制造在半導體晶圓表面上。
回收KNOWLES/樓氏、STANDEXMEDER/斯丹麥德、AMPHENOL/安費諾、TAIYO/太誘、EVERLIGHT/億光、MARUWA/丸和經(jīng)營(yíng)品類(lèi)： 陶瓷電容、電容、連接器、舌簧、干簧管（磁控管）開(kāi)關(guān)、舌簧、磁簧、干簧式繼電器、晶振。



回收進(jìn)口品牌電子料，MURATA/村田、EPCOS/愛(ài)普科斯、WALSIN/華新科、ROHM/羅姆、WISOL/威盛、QUALCOMM/高通 IC、濾波器、線(xiàn)繞電感、手機連接器、聲表濾波器、貼片三極管。
電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱(chēng)薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由立半導體設備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線(xiàn)路板所構成的小型化電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開(kāi)發(fā)了原型，但現代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時(shí)間也發(fā)展出近代實(shí)用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過(guò)世。

回收京瓷連接器，回收TE泰科連接器，回收電子料，配件ic，芯片二三極管。晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片，是一個(gè)的進(jìn)步。集成電路的規模生產(chǎn)能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速采用標準化集成電路代替了設計使用離散晶體管。
集成電路對于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過(guò)照相平版技術(shù)，作為一個(gè)單位印刷，而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開(kāi)關(guān)，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，芯片面積從幾平方毫米到350 mm2，每mm2可以達到一百萬(wàn)個(gè)晶體管。
個(gè)集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個(gè)雙極性晶體管，三個(gè)電阻和一個(gè)電容器。
根據一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數量，集成電路可以分為以下幾類(lèi)：
小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門(mén)10個(gè)以下或晶體管100個(gè)以下。
中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門(mén)11~100個(gè)或 晶體管101~1k個(gè)。
大規模集成電路（LSI英文全名為L(cháng)arge Scale Integration）邏輯門(mén)101~1k個(gè)或 晶體管1,001~10k個(gè)。
超大規模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門(mén)1,001~10k個(gè)或 晶體管10,001~100k個(gè)。
規模集成電路（ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration）邏輯門(mén)10,001~1M個(gè)或 晶體管100,001~10M個(gè)。
GLSI（英文全名為Giga Scale Integration）邏輯門(mén)1,000,001個(gè)以上或晶體管10,000,001個(gè)以上。

回收單片機ic，NUVOTON/新唐、MICROCHIP/微芯、TI/德州儀器、PTC/普誠、FM/富滿(mǎn)、WINBOND/華邦 IC、存儲IC、單片機MCU、內存芯片、圓形連接器、8位MCU?；厥者B接器，回收ic芯片，回收電子配件。
的集成電路是微處理器或多核處理器的核心，可以控制計算機到手機到數字微波爐的一切。雖然設計開(kāi)發(fā)一個(gè)復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬(wàn)計的產(chǎn)品上，每個(gè)集成電路的成本小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來(lái)短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開(kāi)關(guān)速度應用。
這些年來(lái)，集成電路持續向更小的外型尺寸發(fā)展，使得每個(gè)芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見(jiàn)摩爾定律，集成電路中的晶體管數量，每1.5年增加一倍?？傊?，隨著(zhù)外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對于終用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結構的尖銳挑戰。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在半導體國際技術(shù)路線(xiàn)圖中有很好的描述。
僅僅在其開(kāi)發(fā)后半個(gè)世紀，集成電路變得無(wú)處不在，計算機、手機和其他數字電器成為社會(huì )結構不可缺少的一部分。這是因為，現代計算、交流、制造和交通系統，包括互聯(lián)網(wǎng)，全都依賴(lài)于集成電路的存在。甚至很多學(xué)者認為由集成電路帶來(lái)的數字革命是人類(lèi)歷史中重要的事件。IC的成熟將會(huì )帶來(lái)科技的大躍進(jìn)，不止是在設計的技術(shù)上，還有半導體的工藝突破，兩者都是的一環(huán)。