大尺寸LCD驅動(dòng)IC的特點(diǎn)

，高電壓工藝。模擬電路中電壓越高，驅動(dòng)能力越強，因此大尺寸LCD驅動(dòng)IC采用高電壓制造工藝，通常Source Driver IC為10~12V， Gate Driver IC更高，達40V。

第二，運行頻率高。液晶顯示器的分辨率越來(lái)越高，這就意味著(zhù)掃描列數的增加， Gate Driver IC不斷提高開(kāi)關(guān)頻率， Source Driver IC不斷提高掃描頻率。

第三，封裝工藝特殊。LCD驅動(dòng)IC通常綁定在LCD面板上，因此厚度盡可能地薄，通常采用高成本的TCP封裝。還有特別追求薄的，采用COG封裝，再有就是目前正在興起的COF封裝。

第四，管腳數特別多。Gate Driver IC少256腳， Source Driver IC少384腳。

第五，單一型號出貨量特別大。驅動(dòng)IC 單月平均出貨量高達1.5億片，而其中平均每個(gè)型號的出貨量達差不多在300萬(wàn)片左右。

一旦加上電壓，這個(gè)電容是可以保存能量的，在電壓再次回到這一條線(xiàn)的像素上之前，電容會(huì )釋放自己保存的電壓來(lái)保持像素的亮度。這樣，整體的亮度就會(huì )得到大幅提升。其次，每個(gè)像素的開(kāi)關(guān)起到一個(gè)門(mén)檻的作用，這樣，如果一個(gè)像素被加上電壓點(diǎn)亮，給相鄰的像素帶來(lái)一丟丟影響，因為門(mén)檻的存在，這一丟丟的影響是不能點(diǎn)亮相鄰的像素的。


這種方式就做做Active Matrix（AMOLED的AM就是Active Matrix的縮寫(xiě)）。


AM的好處當然是大大的，但是這樣的成本就是TFT的結構變得更加復雜，1080P的分辨率就不僅僅是600多萬(wàn)個(gè)電氣元件了，像OLED那種每個(gè)像素需要至少五、六個(gè)晶體管的，豈不是少也要3000多萬(wàn)個(gè)晶體管？如果是4K分辨率呢？

COF（Chip On Film），是將DDIC間接通過(guò)粘合薄膜（Adhesive Thin Film）粘合在柔性塑料基板（Plastic Substrate）以實(shí)現柔性顯示屏，例如OLED。

COP（Chip On Plastic）是將DDIC直接固定在柔性塑料基板上（Plastic Substrate）。

隨著(zhù)柔性屏發(fā)展，為了提高屏占比（screen to body ratio），DDIC的COF（chip on film）封裝技術(shù)應運而生。

那么在COF封裝中，TFT薄膜晶體電路的基材也是玻璃，但是與COG不一樣的是，驅動(dòng)電路集成到了FPC軟板上，所以下border部分只需要預留出一個(gè)bonding的區域給FPC和TFT連接，這樣能將下border的厚度減少1.5mm左右，如下圖所示。目前，各大廠(chǎng)商的非旗艦安卓機基本都是采用COF封裝形式。