回收芯片是一項環(huán)保和資源回收的重要工作。隨著(zhù)電子產(chǎn)品的普及和更新?lián)Q代，大量的芯片被淘汰和廢棄，這些芯片中蘊含著(zhù)大量有價(jià)值的金屬和材料，如果不進(jìn)行回收利用，不僅浪費了資源，還會(huì )對環(huán)境造成污染。

回收芯片可以有效地減少廢棄電子產(chǎn)品對環(huán)境的影響，同時(shí)也可以回收有價(jià)值的金屬和材料，為環(huán)保和資源回收做出貢獻?；厥招酒枰脑O備和技術(shù)，同時(shí)也需要合法的回收渠道和處理方式，以確?；厥者^(guò)程的安全和合法性。

晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高
純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓下產(chǎn)生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都
是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著(zhù)一塊P型半導體所組成，發(fā)射區與基區之間形成的PN結稱(chēng)為發(fā)射結,而集電區與基區形成的PN結稱(chēng)為集電結,三條引線(xiàn)分別稱(chēng)
為發(fā)射極。
（Emitter）、基極b(Base)和集電極c(Collector)。
當b點(diǎn)電位e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要基極電源Eb。
意識地使發(fā)射區的多數載流子濃度大于基區的，同時(shí)基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區的多數載流
子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過(guò)發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱(chēng)
為發(fā)射極電流了。
由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過(guò)集電結進(jìn)入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進(jìn)行復合，被復合
掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得