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一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構變化的原因
氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的，若無(wú)許可，勿將材料排入周?chē)h(huán)境。
2、常溫常壓下穩定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
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