回收芯片不僅可以減少資源消耗，還可以減少對環(huán)境的污染和能源的浪費?；厥招酒梢员苊鈴U棄芯片對環(huán)境造成的污染，同時(shí)也可以減少新芯片的生產(chǎn)和能源消耗。

長(cháng)期回收電子、二三極管、內存、單片機、模塊,顯卡、網(wǎng)卡、芯片、顯示屏、液晶系列、電腦配件系列、手機配件系列、手機ＩＣ、手機主板、手機液晶屏、手機按鍵，倉庫積壓、內存條系列、電腦IC、通訊IC、數碼IC、安防IC、1工IC，IC:K9F系列、南北橋、ATMEL/PIC系列單片機、SAA系列、XC系列、RT系列、TDA系列、TA系列，手機主控IC，內存卡、字庫、藍牙芯片、功放IC、電解電容、晶振、變壓器、LED發(fā)光管、 繼電器等一切電子元件。

晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高
純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓下產(chǎn)生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都
是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著(zhù)一塊P型半導體所組成，發(fā)射區與基區之間形成的PN結稱(chēng)為發(fā)射結,而集電區與基區形成的PN結稱(chēng)為集電結,三條引線(xiàn)分別稱(chēng)
為發(fā)射極。
（Emitter）、基極b(Base)和集電極c(Collector)。
當b點(diǎn)電位e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點(diǎn)電位b點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要基極電源Eb。
意識地使發(fā)射區的多數載流子濃度大于基區的，同時(shí)基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區的多數載流
子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過(guò)發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱(chēng)
為發(fā)射極電流了。
由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過(guò)集電結進(jìn)入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進(jìn)行復合，被復合
掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得