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電子呆料、電子元器件在當今5G高速網(wǎng)絡(luò )時(shí)代會(huì )有一大批被淘汰,為什么呢?從5G網(wǎng)絡(luò )自身的運算速度來(lái)說(shuō),是上個(gè)時(shí)代主流網(wǎng)絡(luò )4G的上百倍,在如此快速的轉換、運行的環(huán)境下,勢必要求各個(gè)元器件達到更高的標準,像運算速度慢、能耗高、延時(shí)高等的一些問(wèn)題使老一代的電子元器件無(wú)法勝任5G時(shí)代的要求。
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每個(gè)電子元器件制造生產(chǎn)企業(yè)都會(huì )存在電子呆料、廢料的情況,如何處理比較合理?從以往的電子呆料處理市場(chǎng)反饋來(lái)說(shuō),大部分企業(yè)都有自己長(cháng)期的處理渠道,一般來(lái)說(shuō)就是有固定的3個(gè)左右回收商合作,但是也有弊端,因為封閉性導致沒(méi)有市場(chǎng)數據參入,廠(chǎng)家會(huì )覺(jué)得價(jià)格賣(mài)得低,回收商會(huì )覺(jué)得價(jià)格收得高,都是想著(zhù)能利潤。
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深圳市益承電子科技有限公司
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IGBT模塊回收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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