深圳市華宇金屬材料有限公司位于深圳市的中部工業(yè)發(fā)達區龍華。公司產(chǎn)品延續深圳市新興金屬科技有限公司，創(chuàng )建于2005年，向PCB電鍍、化工廠(chǎng)家、化工設備，真空離子鍍膜、吸氣劑、鉻鋯銅合金、磁性材料，鋁鋯中間合金，等離子切割等領(lǐng)域的廠(chǎng)家供應有色金屬的鈦，鋯，鉿，鈮，鉭等的原材料及產(chǎn)品：
1）金屬鈦、結晶鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦卷帶、鈦箔、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）金屬鋯、高純鋯、海綿鋯，碘化鋯、結晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應釜罐，鋯盤(pán)管，鋯冷卻管，鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅，鋯鐵，鋁鋯中間合金等。
3）結晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
公司和內地、臺灣、韓國、泰國的許多企業(yè)建立了長(cháng)期的合作關(guān)系。公司秉誠以誠信為本、質(zhì)量、用戶(hù)至上的經(jīng)營(yíng)理念，堅持“誠實(shí)守信，精益求精”的精神宗旨，竭誠為廣大廠(chǎng)商提供的產(chǎn)品和服務(wù)，確保公司與客戶(hù)的持續發(fā)展。

磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

主要應用
編輯
濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類(lèi)
根據形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據應用不同又分為半導體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據應用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板，鋯圓靶，鋯管靶，鋯靶，鈦靶，鉻靶

可根據用戶(hù)需要制作。
鋯盤(pán)管換熱器:
規格；標準規格，功率有1.5KW-50KW,
形態(tài)；根據加熱功率，可制成“L”型，“U” “0"型等，并可附有過(guò)熱保護裝置。
用途；適用于鈦無(wú)法勝任的酸、堿介質(zhì)中（氫氟酸除外）。
在聚合物的生產(chǎn)中，鋯的應用是代替石墨作熱交換器。鋯熱交換器的成本雖比石墨約高4倍，比鈦約高 2倍，但它經(jīng)久耐用足以彌補成本費。

名　　稱(chēng)：鋯管
規　　格：Φ8.0—89.0（外直徑）╳ 1.0—10.0（壁厚）╳ L（長(cháng)）mm
狀　　態(tài)：退火
主要性能： 抗拉強度HB>379Mpa 導熱率=0.040Cal/cm2 （可以彎成需要的形狀）
應用領(lǐng)域：油箱盤(pán)管、殼管熱交換器、熱虹吸管、蒸發(fā)器、卡口加熱器和人造絲絲囊、管殼式換熱器,列管式換熱器,加熱管,管式預熱器、化工設備反應釜盤(pán)管等。
例如：在蒸氣壓力為239000Pa，溫度為373K，管中流體含5%硫酸、3%、6%硫酸鈉的條件下，用鋯盤(pán)管代替鉛盤(pán)等，使用壽命在10年以上。

磁控濺射靶材：鋯靶，鉿靶
磁控濺射靶材種類(lèi)：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化銦靶材（InP），化鉛靶材（PbAs），化銦靶材（InAs）。 [2]


磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。