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用作超硬質(zhì)材料添加劑，可制備純的五氯化鉭：用于噴涂，增加變壓器、集成線(xiàn)路、二極管的電穩定性

一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構變化的原因

研究表明，影響氮化鉭薄膜結合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大

利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現，在一定工作壓力下，隨著(zhù)氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。

氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的，若無(wú)許可，勿將材料排入周?chē)h(huán)境。
2、常溫常壓下穩定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處

用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕

氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結構，晶格常數α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃，電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa，超導轉變溫度1.2K。耐酸性能好，不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸，易被硫酸和硝酸和過(guò)氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類(lèi)質(zhì)同晶混合物，和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應或700～1000℃下使鉭粉和氮氣反應生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。

【中文名稱(chēng)】五氧化二鉭
【英文名稱(chēng)】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結構或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。