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存儲器（Memory）是現代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進(jìn)制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實(shí)物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類(lèi)方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)等，能長(cháng)期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來(lái)存放當前正在執行的數據和程序，但僅用于暫時(shí)存放程序和數據，關(guān)閉電源或斷電，數據會(huì )丟失。
電子回收市場(chǎng)數據是怎樣的呢？通過(guò)我們自身的行業(yè)經(jīng)驗、積累的數據來(lái)分析得出一個(gè)普遍的貶值率：電子呆料庫存1年內成本回收5-6成，2年到5年能回收1-3成 。歡迎有呆料、尾料的工廠(chǎng)聯(lián)系錢(qián)小姐.

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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收購驅動(dòng)IC芯片需要考慮多方面因素，例如市場(chǎng)需求、供應商信譽(yù)、價(jià)格等。同時(shí)，還需要了解相關(guān)的技術(shù)和行業(yè)趨勢，以便做出明智的決策。
二極管回收
二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（Varicap Diode）則用來(lái)當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱(chēng)之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱(chēng)為順向偏壓），反向時(shí)阻斷 （稱(chēng)為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個(gè)PN結兩個(gè)引線(xiàn)端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來(lái)講，晶體二極管是一個(gè)由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場(chǎng)。當外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。
早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英國稱(chēng)為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)?，F今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。

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IC回收
IC芯片(Integrated Circuit集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。而今幾乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線(xiàn)互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著(zhù)微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路為杰克·基爾比（基于鍺的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅的集成電路）。當今半導體工業(yè)大多數應用的是基于硅的集成電路。

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電阻回收
電阻器（Resistor）在日常生活中一般直接稱(chēng)為電阻。是一個(gè)限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個(gè)引腳，它可限制通過(guò)它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱(chēng)為固定電阻器。阻值可變的稱(chēng)為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線(xiàn)性的，即通過(guò)電阻器的瞬時(shí)電流與外加瞬時(shí)電壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著(zhù)一至兩個(gè)可移金屬觸點(diǎn)。觸點(diǎn)位置確定電阻體任一端與觸點(diǎn)間的阻值。端電壓與電流有確定函數關(guān)系，體現電能轉化為其他形式能力的二端器件，用字母R來(lái)表示，單位為歐姆Ω。實(shí)際器件如燈泡，電熱絲，電阻器等均可表示為電阻器元件。
電阻元件的電阻值大小一般與溫度，材料，長(cháng)度，還有橫截面積有關(guān)，衡量電阻受溫度影響大小的物理量是溫度系數，其定義為溫度每升高1℃時(shí)電阻值發(fā)生變化的百分數。電阻的主要物理特征是變電能為熱能，也可說(shuō)它是一個(gè)耗能元件，電流經(jīng)過(guò)它就產(chǎn)生內能。電阻在電路中通常起分壓、分流的作用。對信號來(lái)說(shuō)，交流與直流信號都可以通過(guò)電阻。

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芯片在使用過(guò)程中，電子在不停撞擊著(zhù)金屬銅，把它推向一側，另導線(xiàn)斷裂。熱載流子會(huì )撞擊柵極氧化層，令其損壞，導致器件失效，即所謂的HCI。在高溫下，介電層會(huì )慢慢的失效，導致本來(lái)隔離的兩個(gè)部分之間發(fā)生短路，所謂的TDDB。也就是說(shuō)芯片也是有壽命的，芯片就是會(huì )壞的。
三極管回收
三極管，全稱(chēng)應為半導體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結，兩個(gè)PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發(fā)射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。