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利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜,利用TEM、XRD技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?;同時(shí)還發(fā)現,在一定工作壓力下,隨著(zhù)氮分壓的提高,氮化物晶粒形成的取向改變,即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。
氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為T(mén)aN,分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻
生產(chǎn)晶書(shū)鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用,化工中可作催化劑。
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