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研究表明，影響氮化鉭薄膜結合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的，若無(wú)許可，勿將材料排入周?chē)h(huán)境。
2、常溫常壓下穩定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處
氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻
生產(chǎn)晶書(shū)鉭的原料。也用于電子工業(yè)。供拉鉭酸鋰單晶和制造高折射低色散特種光學(xué)玻璃用,化工中可作催化劑。
又稱(chēng)“氧化鉭”?；瘜W(xué)式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結晶形白色粉末或無(wú)色難溶性粉末。相對密度8.2,熔點(diǎn)1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點(diǎn)以下穩定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類(lèi)和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。
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