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利用磁控反應濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設計進(jìn)行優(yōu)化
利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現，在一定工作壓力下，隨著(zhù)氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。
又稱(chēng)“氧化鉭”?；瘜W(xué)式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結晶形白色粉末或無(wú)色難溶性粉末。相對密度8.2,熔點(diǎn)1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點(diǎn)以下穩定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類(lèi)和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。
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