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電子呆料、電子元器件在當今5G高速網(wǎng)絡(luò )時(shí)代會(huì )有一大批被淘汰，為什么呢？從5G網(wǎng)絡(luò )自身的運算速度來(lái)說(shuō)，是上個(gè)時(shí)代主流網(wǎng)絡(luò )4G的上百倍，在如此快速的轉換、運行的環(huán)境下，勢必要求各個(gè)元器件達到更高的標準，像運算速度慢、能耗高、延時(shí)高等的一些問(wèn)題使老一代的電子元器件無(wú)法勝任5G時(shí)代的要求。

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每個(gè)電子元器件制造生產(chǎn)企業(yè)都會(huì )存在電子呆料、廢料的情況，如何處理比較合理？從以往的電子呆料處理市場(chǎng)反饋來(lái)說(shuō)，大部分企業(yè)都有自己長(cháng)期的處理渠道，一般來(lái)說(shuō)就是有固定的3個(gè)左右回收商合作，但是也有弊端，因為封閉性導致沒(méi)有市場(chǎng)數據參入，廠(chǎng)家會(huì )覺(jué)得價(jià)格賣(mài)得低，回收商會(huì )覺(jué)得價(jià)格收得高，都是想著(zhù)能利潤。
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電容回收
法拉電容又叫雙電層電容器、黃金電容、超級電容器，是從上個(gè)世紀七八十年代發(fā)展起來(lái)的一種化學(xué)元件。超級電容器通過(guò)極化電解質(zhì)來(lái)儲能，但不發(fā)生化學(xué)反應，而且儲能過(guò)程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數十萬(wàn)次。法拉電容金額普通電容的區別是容量上的差別。普通電容器容量大在1萬(wàn)~4萬(wàn)微法，超級電容器大容量可達數千法拉，1法拉=100萬(wàn)微法，所以超級電容又叫做法拉電容。

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繼電器回收
繼電器（英文名稱(chēng)：relay）是一種電控制器件，是當輸入量（激勵量）的變化達到規定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統（又稱(chēng)輸入回路）和被控制系統（又稱(chēng)輸出回路）之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著(zhù)自動(dòng)調節、安全保護、轉換電路等作用。

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IGBT模塊回收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。