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研究表明，影響氮化鉭薄膜結合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度，氮分壓比、濺射電流為次要因素；氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
利用磁控反應濺射技術(shù)制備氮化鉭薄膜，對磁控反應濺射制備氮化鉭薄膜的工藝參數（包括氮分壓比、加熱溫度、濺射壓力、濺射電流）用正交設計進(jìn)行優(yōu)化
氮化鉭為黃綠色結晶，屬型結晶，相對密度為15.6。晶格常數為a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔點(diǎn)為2950℃，顯微硬度為3200kg/mm2，轉化點(diǎn)溫度為17.8K。
利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現，在一定工作壓力下，隨著(zhù)氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕
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