深圳市華宇金屬材料有限公司位于深圳市的中部工業(yè)發(fā)達區龍華。公司產(chǎn)品延續深圳市新興金屬科技有限公司，創(chuàng )建于2005年，向PCB電鍍、化工廠(chǎng)家、化工設備，真空離子鍍膜、吸氣劑、鉻鋯銅合金、磁性材料，鋁鋯中間合金，等離子切割等領(lǐng)域的廠(chǎng)家供應有色金屬的鈦，鋯，鉿，鈮，鉭等的原材料及產(chǎn)品：
1）金屬鈦、結晶鈦、鈦板，鈦絲、鈦棒、鈦卷帶、鈦箔、鈦籃、鈦包銅、鈦管、鈦冷卻管、鈦螺絲等。
2）金屬鋯、高純鋯、海綿鋯，碘化鋯、結晶鋯、鋯錠、鋯籃、鋯靶、鋯屑、鋯邊角、鋯棒、鋯板、鋯管、鋯鋼反應釜罐，鋯盤(pán)管，鋯冷卻管，鋯絲、鋯箔、鋯帶、鋯舟、鋯杯、鋯螺絲、鋯包銅，鋯鐵，鋁鋯中間合金等。
3）結晶鉿，高純鉿，海綿鉿，鉿絲、鉿靶、鉿棒、鉿下角料、鉿錠、鉿屑等。4）金屬鉭，鉭板，鉭絲，鉭棒，鉭靶等。
5）金屬鈮，鈮錠，鈮板，鈮棒，鈮板，鈮粉等。
公司和內地、臺灣、韓國、泰國的許多企業(yè)建立了長(cháng)期的合作關(guān)系。公司秉誠以誠信為本、質(zhì)量、用戶(hù)至上的經(jīng)營(yíng)理念，堅持“誠實(shí)守信，精益求精”的精神宗旨，竭誠為廣大廠(chǎng)商提供的產(chǎn)品和服務(wù)，確保公司與客戶(hù)的持續發(fā)展。

金屬靶材：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁硅合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、硅鐵合金靶等高純度合金濺射

磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

主要應用
編輯
濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
分類(lèi)
根據形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
根據應用不同又分為半導體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
根據應用領(lǐng)域分為微電材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
鋯板，鋯圓靶，鋯管靶，鋯靶，鈦靶，鉻靶

各種類(lèi)型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，地滿(mǎn)足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過(guò)程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線(xiàn)：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求，需求數量也逐年增加。
市場(chǎng)概況
日本。就美國而言．約有50家中小規模的靶材制造商及經(jīng)銷(xiāo)商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì )在客戶(hù)所在地設立分公司。近段時(shí)間，的一些國家和地區，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來(lái)越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠(chǎng)，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠(chǎng)。
對靶材廠(chǎng)商而言，這是相當重要的新興市場(chǎng)。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規模和生產(chǎn)技術(shù)，國內一線(xiàn)生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達到國外的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿(mǎn)足臺灣50%的靶材需要。

合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。 [1]
鋯靶，鉿靶，鋯管靶，鋯板靶，鈦板靶，鈦板

金屬鋯靶材，金屬鉿靶，金屬鈦靶材
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。

鋯的表面易形成一層氧化膜，具有光澤，故外觀(guān)與鋼相似。有耐腐蝕性，但是溶于氫氟酸和王水；高溫時(shí)，可與非金屬元素和許多金屬元素反應，生成固體溶液化合物。鋯 鋯單質(zhì)
的可塑性好，易于加工成板、絲等。鋯在加熱時(shí)能大量地吸收氧、氫、氮等氣體，可用作儲氫材料。鋯的耐蝕性比鈦好，接近鈮、鉭。鋯與鉿是化學(xué)性質(zhì)相似、又共生在一起的兩個(gè)金屬，且含有物質(zhì)。地殼中鋯的含量居第19位，幾乎與鉻相等。自然界中具有工業(yè)價(jià)值的含鋯礦物，主要有鋯英石及斜鋯石。

鋯是一種稀有金屬，具有驚人的抗腐蝕性能、的熔點(diǎn)、的硬度和強度等特性，被廣泛用在航空航天、、核反應、原子能領(lǐng)域。本次"神六"上使用的抗腐蝕性、耐高的鈦產(chǎn)品，其抗腐蝕性能遠不如鋯，其熔點(diǎn)1600度左右，而鋯的熔點(diǎn)則在1800度以上，二氧化鋯的熔點(diǎn)更是高達2700度以上，所以鋯作為航空航天材料，其各方面的性能大大于鈦。

鋯作為與氧有親和力的活潑金屬，氧化膜的耐蝕性能決定了其可以勝任多重腐蝕環(huán)境。
一、工業(yè)純鋯在所有的沸騰的所有濃度鹽酸中，腐蝕速率均小于0.025mm/a。
二、在小于70%的硫酸中鋯具有的耐蝕性。此外由于不銹鋼和鎳合金不能在高溫、20%的硫酸和40-60%的沸騰溫度以下的硫酸范圍內使用，故鋯在硫酸環(huán)境具有無(wú)可替代的作用。
三、在200℃以下，不大于90%的硝酸中，鋯具有良好的耐蝕性。但應注意鋯在硝酸中的應力腐蝕開(kāi)裂敏感性。
四、鋯在所有濃度甚至沸騰的苛性堿溶液中都耐腐蝕。耐蝕性超過(guò)了鉭、鈮、鈦。