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　　，出現量子斯塔克效應為規避這一效應，可選擇用圖形化的生長(cháng)，用MOCVD工藝生長(cháng)高晶體半極性面氮化鎵材料和量子阱結構這種量子阱結構存在兩方面優(yōu)勢：一是，可以很好地實(shí)現長(cháng)波長(cháng)的發(fā)光半極性面的量子性結構MicroLED，隨著(zhù)電流諸如的，效果削弱很多，這意味著(zhù)波長(cháng)性有明顯的，從而更有利于顯示二是，復合速率快半極性面MicroLED器件的載流子復合速率比極性面快一個(gè)數量級，如果把器件做得更小，調制帶寬的速度會(huì )更高，這將有利于可見(jiàn)光通信的應用要制成氮化鎵維。

 

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