深圳GSI鉭鈮礦化驗測試機構"以"行為公正、方法科學(xué)、數據準確、服務(wù)"為質(zhì)量方針，秉承"質(zhì)量，客戶(hù)至上"的服務(wù)宗旨，愿以準確的檢驗、公正的、快捷的代理、滿(mǎn)意的咨詢(xún)竭誠為各行各業(yè)的顧客提供的質(zhì)量技術(shù)服務(wù)，并不斷豐富服務(wù)內容、完善服務(wù)手段、提高服務(wù)質(zhì)量，成為備受客戶(hù)信賴(lài)的技術(shù)合作伙伴。

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用作超硬質(zhì)材料添加劑，可制備純的五氯化鉭：用于噴涂，增加變壓器、集成線(xiàn)路、二極管的電穩定性

一定工作壓力下，制備的氮化鉭薄膜硬度高達４０００ｋｇ／ｍｍ２以上。本文探討了氮化鉭薄膜高硬度的原因，并且討論了隨氮分壓的提高薄膜織構變化的原因

利用磁控反應濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜，利用ＴＥＭ、ＸＲＤ技術(shù)研究了薄膜的微觀(guān)結構。研究結果表明：薄膜中多相共存；薄膜晶粒細?。ǎ保叮睿碜笥遥?；同時(shí)還發(fā)現，在一定工作壓力下，隨著(zhù)氮分壓的提高，氮化物晶粒形成的取向改變，即平行于基體表面生長(cháng)的晶面會(huì )有改變。

氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的，若無(wú)許可，勿將材料排入周?chē)h(huán)境。
2、常溫常壓下穩定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥處

氮化鉭靶材合成
1、將金屬鉭粉用氮氣或氨氣在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金屬鉭和氮氣為原料制備氮化鉭，反應式如下：2Ta+N2=2TaN。

氮化鉭靶材----氮化鉭（Tantalum mononitride）是一種化工材料，分子式為T(mén)aN，分子量為194.95。
用來(lái)制造片狀電阻的材料，氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過(guò)程中，這些膜沉積在硅晶片的頂部，以形成薄膜表面貼裝電阻

【中文名稱(chēng)】五氧化二鉭
【英文名稱(chēng)】tantalic oxide; tantalum pentoxide
【結構或分子式】　Ta2O5
【分子量】　441.89
【密度】8.2g/cm3
【熔點(diǎn)（℃）】1800
【性狀】
白色斜方晶體，菱形柱狀體。
【溶解情況】
溶于熔融硫酸氫鉀和氫氟酸,不溶于水和其他酸。