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存儲器(Memory)是現代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數字系統中,只要能保存二進(jìn)制數據的都可以是存儲器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統中,具有實(shí)物形式的存儲設備也叫存儲器,如內存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器的位置存入和取出信息。有了存儲器,計算機才有記憶功能,才能正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器(內存)和輔助存儲器(外存),也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類(lèi)方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)等,能長(cháng)期保存信息。內存指主板上的存儲部件,用來(lái)存放當前正在執行的數據和程序,但僅用于暫時(shí)存放程序和數據,關(guān)閉電源或斷電,數據會(huì )丟失。
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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統中,可作為大功率驅動(dòng)器件,實(shí)現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動(dòng)系統中得到了廣泛的應用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)?wèn)題,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。
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芯片在使用過(guò)程中,電子在不停撞擊著(zhù)金屬銅,把它推向一側,另導線(xiàn)斷裂。熱載流子會(huì )撞擊柵極氧化層,令其損壞,導致器件失效,即所謂的HCI。在高溫下,介電層會(huì )慢慢的失效,導致本來(lái)隔離的兩個(gè)部分之間發(fā)生短路,所謂的TDDB。也就是說(shuō)芯片也是有壽命的,芯片就是會(huì )壞的。
三極管回收
三極管,全稱(chēng)應為半導體三極管,也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。
三極管是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結,兩個(gè)PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發(fā)射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。
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