鍺烷是通式為GenH2n+2的一系列鍺與氫的化合物的總稱(chēng)。一般來(lái)講鍺烷即指甲鍺烷，常溫下為有毒、易燃和無(wú)色的氣體，分子式GeH4。

鍺烷為無(wú)色、劇毒、可自燃、非腐蝕性氣體。熱穩定性差，160 ~ 180 ℃時(shí)鍺烷緩慢氧化，大約在280 ℃就能檢測到鍺烷分解為鍺和氫，在350 ℃鍺烷幾乎全部分解成單質(zhì)鍺和氫氣; 鍺烷的自催化性很強，一旦分解形成了金屬覆蓋膜，就會(huì )急劇分解，故其分解爆炸危險性很高。鍺烷一般通過(guò)化學(xué)還原法、電化學(xué)反應法、等離子合成法合成，在半導體工業(yè)上有重要的用途

鍺烷為劇毒、可分解爆炸物質(zhì)，因此對整個(gè)生產(chǎn)工藝流程設備材質(zhì)的選擇和處理方面有一定的難度，特別是對反應系統的密閉性和尾氣的處理更應該重視。要考慮減少廢水、廢氣排放量，并加強處理，含鍺烷的尾氣經(jīng)過(guò)無(wú)害化處理，符合排放標準方能排放。
與硅烷不同，鍺烷在空氣中不自燃。GeH4能與空氣混合而不發(fā)生化學(xué)變化，升溫至160℃-183℃才逐漸被氧化(在低壓下需要升溫至320℃才起反應)。GeH4大約在280℃分解為鍺和氫，375℃迅速分解。

鍺烷與過(guò)量氧的反應按下式進(jìn)行:GeH4 + 2O2 → GeO2 + 2H2O

鍺烷與硅烷都是強還原劑，例如GeH4與硝酸銀水溶液反應能放出氫氣并析出黑色的鍺與銀的混合物。硅烷在稀堿溶液中迅速水解，而GeH4不但與稀堿溶液不反應，甚至與33%的NaOH溶液及1mol/L的HBr溶液中也不水解。

鍺烷的液氨溶液具有導電性，是由于其在液氨中發(fā)生了電離:GeH4 + NH3 → NH4 + GeH3，因此鍺烷與鈉或鉀在液氨中反應，分別生成白色固體NaGeH3和KGeH3，這兩種物質(zhì)在室溫下都不穩定。
甲鍺烷在較高溫度下時(shí)分解為鍺和氫氣。這種對熱不穩定性被用于半導體工業(yè)中，即有機金屬化學(xué)氣相沉積法(MOVPE)。由于甲鍺烷毒性較大，某些有機鍺化合物(如異丁基鍺)可以替代甲鍺烷，應用于MOVPE中。

用于生產(chǎn)高純鍺

鍺烷作為高純單質(zhì)鍺的重要來(lái)源之一，主要用于半導體，紅外技術(shù)等方面。采用鍺烷制備單質(zhì)鍺具有以下優(yōu)點(diǎn): 鍺烷分解在較低的溫度下進(jìn)行，并具有高的生產(chǎn)能力和高的產(chǎn)量，原始化合物和反應產(chǎn)品具有較小的反應能力，不需要補充試劑。

20 世紀60 年代以前，鍺一直是作為重要的半導體材料而被大量采用，95% 以上的鍺是用于制造半導體器件，以后由于硅材料的崛起，致使鍺在半導體領(lǐng)域的用量一落千丈。但鍺器件具有其它器件所無(wú)法比擬的性，鍺具有非常小的飽和電阻，幾乎無(wú)熱輻射、功耗極小等優(yōu)點(diǎn)。紅外光學(xué)是耗鍺多的領(lǐng)域之一，美國和日本一直把鍺烷作為戰略?xún)湮镔Y用于軍事方面。此外，鍺在光纖、催化劑、醫藥、食品等領(lǐng)域仍然保持著(zhù)一定的消耗量，還用于電阻溫度計等。因此，即使硅材料被廣泛使用，鍺的生產(chǎn)也是的，而鍺烷分解法是生產(chǎn)高純鍺的佳方法之一。

用于太陽(yáng)能電池

鍺烷在電子工業(yè)中主要用于金屬有機化合物氣相沉積( MOCVD) 工藝，作為太陽(yáng)能電池的重要前驅氣體，鍺烷主要用于制作含鍺的中等帶隙的非晶硅鍺合金吸收綠光的中間層，和鍺含量更高的窄帶隙的非晶硅鍺合金吸收紅光的底層。在非晶硅或者微晶硅薄膜材料中摻入鍺元素后，硅鍺薄膜材料就能夠大幅的調節材料向窄帶隙方向移動(dòng)，從而提高硅基薄膜太陽(yáng)電池的光譜響應范圍和太陽(yáng)電池的光吸收效率，終使得硅基薄膜太陽(yáng)電池的轉換效率提高。

用于制備異質(zhì)結二極晶體管

鍺烷作為硅-鍺(Si-Ge)膜的前體。主要用于制造電子器件，如集成電路、光電器件，特別是制備異質(zhì)結二極晶體管。在異質(zhì)結二極晶體管(HBT) 中，薄硅鍺層作為二極晶體管的基底生長(cháng)在硅片上，與傳統的硅二極晶體管相比，硅-鍺HBT在速度、響應頻率和增益上具有明顯的優(yōu)勢，其速度和頻率響應可以與更昂貴的鎵-砷HBT相比。

其他用途

鍺烷還應用于90 nm以上CMOS( 數碼攝像器材感光元件) 、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、3G 通訊器材半導體元件生產(chǎn)中的外延工藝。另外，鍺烷在擴散、離子注入等工序中也多有應用。
劇毒。本品會(huì )影響神經(jīng)功能和外周血液，與其他重金屬氫化物一樣毒性很強。大鼠吸入濃度為150ppm的氫化鍺蒸氣1小時(shí)，1天后致死。家兔吸入濃度為100ppm的蒸氣時(shí)在1個(gè)月后即倒下。

急性毒性數據:

小鼠經(jīng)口LD50:1250mg/kg

小鼠吸入LC50:1380mg/m
有害燃燒產(chǎn)物:在200℃時(shí)分解產(chǎn)生氫和鍺。

滅火方法:消防人員穿戴氧氣防毒面具和全身防護服,關(guān)閉泄漏鋼瓶的閥門(mén),如無(wú)法關(guān)閉閥門(mén),消防人員及時(shí)撤離現場(chǎng)。 切斷氣源，如不可能并對周?chē)h(huán)境無(wú)危險，讓火自行燃盡。其他情況用二氧化碳、干燥粉末滅火。

爆炸:著(zhù)火時(shí)，噴霧狀水保持鋼瓶冷卻。從掩蔽位置滅火。
切斷一切火源，戴好氧氣防毒面具與手套。用排風(fēng)機排送至水洗或與塔相連的通風(fēng)櫥內。
上海浦煦流體控制系統有限公司致力于推動(dòng)氣體的利用、不斷為客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值的使命，專(zhuān)注于制 造的高純及純氣體減壓器、氣體閥門(mén)，產(chǎn)品包括氣體混配器、全自動(dòng)氣瓶柜、調壓閥、隔膜 閥、單向閥、過(guò)濾器等，同時(shí)為客戶(hù)提供流體系統的工程設計及施工。產(chǎn)品廣泛應用于裝備制造、半導 體、光伏、***等行業(yè)。

公司占地5000余平方米，2000平方米生產(chǎn)廠(chǎng)房，100平方CLASS 1000 無(wú)塵室。公司配備理化室。具 有高低溫、震動(dòng)、硬度、金相、光譜、非接觸式表面光潔度、壓力、流量整套檢測能力。公司現有30余臺 套精密機械加工設備，包括加工中心、數控車(chē)床、數控銑床等。
公司擁有一批富有20余年從業(yè)經(jīng)驗的技術(shù)團隊。完整的產(chǎn)品線(xiàn)貼近市場(chǎng)需求，同時(shí)通過(guò)與美國、 法國等同行業(yè)技術(shù)合作，為國外***品牌進(jìn)行定牌生產(chǎn)，技術(shù)能力得以不斷提升。
公司通過(guò)了*** 國際質(zhì)量體系認證，獲得壓力管道設計、特種設備制造(閥門(mén)及元件組合裝 置)、特種設備安裝(壓力管道、壓力容器)許可證。

上海浦煦流體控制系統有限公司愿為您的流體供應系統安全、潔凈、的運作，提供整體產(chǎn)品解決 方 案 。


調壓減壓閥混配器半導體特氣柜廢氣干式吸附尾氣處理爐SB740

GC5000系列UHP供氣用氣瓶柜采用冷軋碳鋼板焊接而成(SUS304不銹鋼板可選),有效隔離氣瓶與工作 環(huán)境，分單瓶、二瓶、三瓶及四瓶四種規格，氣瓶柜頂部設有抽風(fēng)口，

對于有毒有害氣體在供氣時(shí)建議***一定排風(fēng)量，以確保安全使用。氣瓶柜正面門(mén)板下部設置有通風(fēng)百葉， 有利于加強氣柜通風(fēng)效果。

GC5000 系列氣瓶柜設置有8mm 不銹鋼絲加強鋼化玻璃透明視窗，方便用氣過(guò)程中監控。

GC5000 系列氣瓶柜用于可燃性氣體時(shí)，氣瓶柜頂部標準配置有水噴淋系統，需要時(shí)可與煙感或泄漏報警器

聯(lián)動(dòng)。

調壓減壓閥混配器半導體特氣柜廢氣干式吸附尾氣處理爐SB740

直燃+水洗式尾氣處理爐AR-FUEL WET TYPE GAS ABATEMENT SCRUBBER

SB770W 為燃氣與空氣預混動(dòng)力燃燒式尾氣處理爐，燃燒腔水冷，經(jīng)燃燒處理 后的尾氣經(jīng)過(guò)進(jìn)一步水洗、過(guò)濾后高空放散或排入中央洗滌塔。

應 用

■應用于ETCH,CVD,DIFF 等半導體行業(yè)工藝過(guò)程中產(chǎn)生 的廢氣處理，氣體種類(lèi)包括：

腐蝕性氣體(Cl2,F2,HCl,HF,BCl3,HBr 等 )

可燃性氣體(SiH4,TEOS,DCS 等 )




調壓減壓閥混配器半導體特氣柜廢氣干式吸附尾氣處理爐SB740
產(chǎn)品特點(diǎn)

結構簡(jiǎn)單，可靠，處理效***

尾氣燃燒、水洗，尤其適用于酸堿性尾氣處理

低氮燃燒器，處理能力大(1000SLPM, 含吹掃置換氮氣),處理效***； PLC 全自動(dòng)控制，模塊化結構，交貨快

待機、沉積、清潔三個(gè)過(guò)程快速響應，三種運行模式，能源消耗少 標配粉塵刮刀

多級多重安全連鎖，防回火設施設計，氮氣稀釋保護，確保長(cháng)時(shí)間無(wú)故障安全運行。