現如今，人們的無(wú)論是生活當中還是工作當中，幾乎都離不開(kāi)智能電子產(chǎn)品。一旦脫離了智能電子產(chǎn)品，人們在許多的地方都會(huì )非常的不方便，但是智能電子產(chǎn)品的出現，也給社會(huì )發(fā)展造成新的問(wèn)題，那就是廢舊電子元件垃圾。

要吃肉就得先挨餓，看到5G這塊肥肉，想爭想搶?zhuān)切枰蒙釛壟f技術(shù)、舊產(chǎn)品，把一年前的舊ic芯片、舊主板、舊成品、舊半成品該“扔”得扔，把舊產(chǎn)品換個(gè)殼、換種支持模式就想成為手機生產(chǎn)大戶(hù)？那是欺騙市場(chǎng)，肯定不會(huì )在中午被淘汰。只有大力發(fā)展新技術(shù)才是王道。

內存芯片：電路板上貼的一塊塊黑色的就是內存芯片（內存顆粒），顆粒個(gè)數越多，內存條的容量越大。內存條規格有DDR 、DDR2、 DDR3、 DDR3L、 DDR4 甚至還有更老的SDRAM內存。

新一代比老一代：頻率更高、容量更大、速度更快、電壓更低，DDR4加快普及中，成為市場(chǎng)主流，不同代內存條可通過(guò)內存上的標簽貼紙或看防呆口位置就可以分辨。

內存容量，當然容量越大越好，內存頻率，內存讀寫(xiě)速度，由頻率決定，頻率越高，性能越強，內存顆粒，全世界能生產(chǎn)內存顆粒，，優(yōu)選三星的顆粒。

內存時(shí)序，就是CPU從內存中找到數據的延時(shí)時(shí)間，相同規格下（DDR代數、頻率等等），時(shí)序越小，延時(shí)越低，內存性能越好。

Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器，數據刪除不是以單個(gè)的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。

閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是按區塊擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快，所以被稱(chēng)為Flash erase EEPROM，或簡(jiǎn)稱(chēng)為Flash Memory。

眾所周知，電子呆料原裝芯片庫存的回收不僅防止了資源的浪費，降低了電子污染的出現頻率，而且也不會(huì )因隨意丟棄而危害環(huán)境，廢舊電子料可以加強對電子廢物的回收再利用，對于防止和減少環(huán)境污染，提升資源利用水平，推動(dòng)經(jīng)濟循環(huán)的發(fā)展，完善再生資源回收，實(shí)現可持續發(fā)展都具有重要意義。

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