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接插件的產(chǎn)品類(lèi)別，接插件產(chǎn)品類(lèi)型的劃分雖然有些混亂，但從技術(shù)上看，接插件產(chǎn)品類(lèi)別只有兩種基本的劃分辦法：
①按外形結構：圓形和矩形（橫截面）；
②按工作頻率：低頻和高頻（以3MHz為界）。
按照上述劃分，同軸接插件屬于圓形，印制電路接插件屬于矩形（從歷史上看，印制電路接插件確實(shí)是從矩形接插件中分離出來(lái)自成一類(lèi)的），而流行的矩形接插件其截面為梯形，近似于矩形。以3MHz為界劃分低頻和高頻與無(wú)線(xiàn)電波的頻率劃分也是基本一致的。
至于其它按用途、安裝方式、特殊結構、特殊性能等還可以劃分出許多不同的類(lèi)型，并常常出現在刊物和制造商的宣傳品中，但一般只是為了某一特征和用途，基本分類(lèi)仍然沒(méi)有超出上述的劃分原則。

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電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱(chēng)薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由立半導體設備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線(xiàn)路板所構成的小型化電路。
從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開(kāi)發(fā)了原型，但現代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時(shí)間也發(fā)展出近代實(shí)用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過(guò)世。

回收京瓷連接器，回收TE泰科連接器，回收電子料，配件ic，芯片二三極管。晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件，集成電路可以把很大數量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片，是一個(gè)的進(jìn)步。集成電路的規模生產(chǎn)能力，可靠性，電路設計的模塊化方法確保了快速采用標準化集成電路代替了設計使用離散晶體管。
集成電路對于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過(guò)照相平版技術(shù)，作為一個(gè)單位印刷，而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開(kāi)關(guān)，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，芯片面積從幾平方毫米到350 mm2，每mm2可以達到一百萬(wàn)個(gè)晶體管。
個(gè)集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個(gè)雙極性晶體管，三個(gè)電阻和一個(gè)電容器。
根據一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數量，集成電路可以分為以下幾類(lèi)：
小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門(mén)10個(gè)以下或晶體管100個(gè)以下。
中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門(mén)11~100個(gè)或 晶體管101~1k個(gè)。
大規模集成電路（LSI英文全名為L(cháng)arge Scale Integration）邏輯門(mén)101~1k個(gè)或 晶體管1,001~10k個(gè)。
超大規模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門(mén)1,001~10k個(gè)或 晶體管10,001~100k個(gè)。
規模集成電路（ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration）邏輯門(mén)10,001~1M個(gè)或 晶體管100,001~10M個(gè)。
GLSI（英文全名為Giga Scale Integration）邏輯門(mén)1,000,001個(gè)以上或晶體管10,000,001個(gè)以上。