很多廢舊芯片當中含有金，銅，鋁，錫等各種貴重金屬元素，這些資源之所以稱(chēng)之為貴重，就是因為在自然界當中這些資源是有限的或者比較少的，在回收廢舊電子料之后，在利用科學(xué)環(huán)保的提煉方法將各種金屬提煉出來(lái)，又能夠緩解諸多生產(chǎn)企業(yè)對于貴重金屬的需求，又可以充分回廢棄電子材料，還可以減輕對環(huán)境的污染程度，得到我們生活，生產(chǎn)所需要的金屬，在各方面具有相當高的回收價(jià)值。

物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱(chēng)為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱(chēng)為導體?？梢院?jiǎn)單的把介于導體和絕緣體之間的材料稱(chēng)為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發(fā)現是晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認可。

半導體的發(fā)現實(shí)際上可以追溯到很久以前。
1833年，英國科學(xué)家電子學(xué)之父法拉第先發(fā)現硫化銀的電阻隨著(zhù)溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發(fā)現硫化銀材料的電阻是隨著(zhù)溫度的上升而降低。這是半導體現象的發(fā)現。

半導體的這四個(gè)特性，雖在1880年以前就先后被發(fā)現了，但半導體這個(gè)名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯使用。而總結出半導體的這四個(gè)特性一直到1947年12月才由貝爾實(shí)驗室完成。
2019年10月，一國際科研團隊稱(chēng)與傳統霍爾測量中僅獲得3個(gè)參數相比，新技術(shù)在每個(gè)測試光強度下多可獲得7個(gè)參數：包括電子和空穴的遷移率；在光下的載荷子密度、重組壽命、電子、空穴和雙極性類(lèi)型的擴散長(cháng)度。
2022年，科研人員發(fā)現立方砷化硼是科學(xué)界已知的好的半導體之一，被稱(chēng)為半導體。

無(wú)機合成物半導體。無(wú)機合成物主要是通過(guò)單一元素構成半導體材料，當然也有多種元素構成的半導體材料，主要的半導體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的結合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影響，不是所有的化合物都能夠符合半導體材料的要求。這一半導體主要運用到高速器件中，InP制造的晶體管的速度比其他材料都高，主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。 對于導電率高的材料，主要用于LED等方面。

非晶態(tài)半導體。它又被叫做無(wú)定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類(lèi)材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(cháng)程無(wú)序結構。它主要是通過(guò)改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區別于原子排列是否具有長(cháng)程序。非晶態(tài)半導體的性能控制難，隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)明，非晶態(tài)半導體開(kāi)始使用。這一制作工序簡(jiǎn)單，主要用于工程類(lèi)，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽(yáng)能電池和液晶顯示屏中。